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鈦靶材(Ti)

Ti target

眾誠達

金屬靶材

鈦靶材(Ti)

良好的力學性能
耐腐蝕性
高溫穩定性
高電阻率

產品介紹

鈦靶材作為物理氣相沉積(PVD)技術的核心材料,通過鈦靶材高純度與精密結構控制,鈦靶材正深度賦能半導體、顯示與醫療等戰略產業。鈦靶材的技術突破集中體現在材料性能優化、制造工藝革新與應用場景拓展三大維度,是高端PVD鍍膜領域的關鍵核心耗材。
在性能層面,鈦靶材通過原子級純度控制與微觀結構調控實現技術領先。半導體級鈦靶材產品純度達5N-6N級別,雜質含量從ppm級降至ppb級,有效避免電遷移失效。鈦靶材密度控制達4.506-4.51g/cm3理論值,配合≤50μm晶粒尺寸,滿足EUV光刻對薄膜平整度的嚴苛需求,彰顯鈦靶材的技術優勢。

 

鈦靶材的優異特性

  • 良好的力學性能

    鈦靶材的核心原料鈦具有高的強度和低的密度,因此鈦靶材制備的鈦薄膜在許多結構性應用中具有優越的力學性能,適配結構性鍍膜需求。

  • 耐腐蝕性

    鈦靶材的核心原料鈦在許多化學環境中具有很好的耐腐蝕性。鈦靶材制備的鈦薄膜在海水、酸堿介質等環境中可提供有效的防護,提升終端產品使用壽命,凸顯鈦靶材的耐腐優勢。

  • 高溫穩定性

    鈦靶材的核心原料鈦在高溫下具有良好的穩定性,因此鈦靶材制備的鈦薄膜在航空航天、核能等高溫領域具有廣泛的應用,適配極端高溫場景。

  • 裝飾性

    鈦靶材的核心原料鈦可以形成各種顏色的氧化膜,具有良好的裝飾性。鈦靶材制備的鈦薄膜應用于珠寶、眼鏡、鐘表等產品的表面處理,拓展鈦靶材的應用場景。

  • 高電阻率

    鈦靶材的純鈦電阻率顯著高于常用金屬導體(如銅、鋁),約 42.0 × 10?? Ω·m (420 nΩ·m) (室溫下)。具體值受鈦靶材純度影響極大,高純度(如4N5)鈦靶材有助于降低電阻率。雜質(尤其是間隙元素O、N、C)會顯著增加鈦靶材的電阻率,凸顯鈦靶材純度的核心價值。


鈦靶材的廣泛應用

  1. 半導體制造

    鈦靶材是銅互連的“守護神”:鈦靶材作為阻擋層 ,阻止銅原子侵蝕硅芯片;鈦靶材作為粘附層,確保銅線與底層緊密結合。芯片制程越先進(7nm, 5nm, 3nm…),對鈦靶材純度與薄膜質量要求越苛刻,鈦靶材直接關乎芯片良率與性能,是半導體高端制程不可或缺的關鍵材料。

  2. 顯示面板

    鈦靶材在TFT陣列中充當電極組分(如Mo-Ti)或關鍵歐姆接觸/粘附層;
    鈦靶材為ITO透明電極提供強力附著“地基”,助力顯示面板性能提升,適配高端顯示領域需求。
  3. 光伏行業

    鈦靶材是高效電池背接觸層與粘附層的優選,鈦靶材可提升光伏電池的穩定性與光電轉換效率。
  4. 光學器件制造

    鈦靶材可沉積高純鈦膜或二氧化鈦(TiO?)膜,用于鏡頭增透膜、濾光片、光催化自潔玻璃等,鈦靶材的純度決定光學性能極限

技術特性

  • 純度

    純度

    99.5%-99.95%

  • 密度

    密度

    4.506 g/cm³ (20°C)

應用場景

  • 半導體制造

    半導體制造

  • 顯示面板

    顯示面板

  • 光伏行業

    光伏行業

  • 光學器件制造

    光學器件制造

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