解決方案
半導體
主要靶材：Cu、 Ti、 W、 SS、 AI、 Si、Ni、Mo、 Cr、 Ta、 Ag、 Au、 Pt、 Ir、 Sc、 AISC、NiFe、NiCr、 NiCu、 WTi、AICu、PZT、LNO、NiV
蒸鍍材料：Cu、Ni、Ti、W、AI、Mo、Cr、Ta、Ag、Au、Pt、Ir、Y
以上靶材是半導體制造不可或缺的關鍵材料，在先進封裝、第三代半導體、MEMS 器件及各類電子元器件等領域廣泛應用。通過濺射沉積，靶材可在晶圓或基板表面形成導電層、阻擋層、絕緣層及功能性膜層，顯著提升器件性能、可靠性和良率，滿足先進工藝對薄膜厚度、均勻性和穩定性的嚴格要求。
1. 先進封裝
在倒裝芯片、扇出型封裝、3D 堆疊等先進封裝工藝中，靶材用于沉積金屬互連層、擴散阻擋層、再布線層等關鍵膜層，提高封裝密度、信號傳輸速度和熱管理能力，同時增強膜層附著力與長期可靠性。
2. 第三代半導體
在 SiC、GaN 等第三代半導體功率器件制造中，靶材被用于制備電極、阻擋層、保護膜及功能膜層，可在高溫、高壓、高頻環境下保持優異的導電性與結構穩定性，滿足功率器件對材料耐久性和穩定性的嚴苛要求。
3. MEMS 器件
在 MEMS 微機電系統（如壓力傳感器、加速度計、陀螺儀等）制造中，靶材可沉積敏感膜、功能膜和保護膜，確保器件在微小尺寸下依然具備高靈敏度、高可靠性和穩定性能。
4. 電子元器件
在各類電子元器件（包括電容、電阻、傳感器、開關器件等）生產中，靶材用于形成導電層、介電層和封裝保護層，有效提升器件導電性能、絕緣能力及耐環境性能，延長使用壽命并保持性能穩定。
重要作用
保證薄膜性能穩定
提升器件可靠性
支持高端工藝發展
推動綠色制造與成本優化
